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模块电源广泛用于交换设备、接入设备、移动通讯、微波通讯以及光传输、路由器等通信领域和电子、航天以及生活的各方各面。为了保证模块电源的安全可靠性能，电源模块离不开完整的测试。AC-DDC-DC电源模块的完整测试往往包括开机时间、关机时间、上升时间、下降时间的测试。测试系统，如艾德克斯ITS95电源测试系统可以完整的进行测试。如果不使用测试系统，如何使用直流电源+直流电子负载的方式简单测试DC-DC电源模块的开、关机时间和上升、下降时间呢？艾德克斯IT8515/IT853系列电子负载，提供创新的时间量测功能，可以方便快捷地实现电源开机时间与上升时间的测试，在电源行业有非常广泛的应用。美国FANN旋转粘度计FANN35A 207198进口
美国FANN粘度计FANN 35SA
Fann 35粘度计是直接读数粘度计，有6速和12速设计，可用于50 Hz或60 Hz电气功率下，标准电源是115伏，但所有型号均可配置变压器，运行与220/230伏环境下。
Fann 35粘度计用于研究和生产，这些粘度计*用于评估流体的流变特性，该设计包括R1转子套筒，B1 Bob，F1扭转弹簧和一个不锈钢样品杯用于根据美国石油学会现场测试水基钻井*实践的API RP 13B-1/ISO 10414-1流体规范的相关测试。龙泉3821柱塞泵美国CAT原装进口
美国FANN粘度计35系列备件型号：
FANN 粘度计35A 207198
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FANN 粘度计35A/SR-12 207200
FANN 粘度计35SA/SR-12 207201
美国FANN Instr波形记录仪的主流分辨率为12比特，而ZLG致远电子ZDL6000示波记录仪分辨率为14比特，在同样的条件下，可以读到的刻度值为0.0012V。分辨率越高，采集精度越大，更容易测量信号的值、有效值等数据，还可以根据这些数值进行高精度的运算(如：瞬时功率，能量积分等)。通道数量数字示波器一般都是4通道的，而波形记录仪根据机型不同，支持通道数一般在8通道以上。通道越多，可同时观察的信号也就越多，可比较性就越好。ument公司致力于流体的物理和化学性能，特别是流动性和粘度的测试设备的设计和制造。用于检测试剂盒，以及便携式实验室测试钻井液，完井液，压裂液，油田水泥浆，和工业。
FANN 35粘度计
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FANN 21200新型号FA激光测距传感器在宇宙空间探测领域的应用空间激光测距技术在监测-板块运动、地壳形变、地球自转，改进地球重力场和地心引力常数，确定地球和海洋潮汐变化的规律，监测空间碎片等方面具有重要作用。它也是当前高精度卫星精密观测的主要手段之一，是现代各种观测手段中单点采样精度的一种，是支持地球自转与参考系服务（IERS）的技术手段之一。卫星激光测距技术在如下应用方面已经取得了显著的成就，具有广阔的应用前景。NN 212极压润滑器
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Fann 31100本文讨论几个能够展示这种测试价值的例子。个例子是关于“扩频时钟发生器(SSCG)”的辐射特性，分别在“关”和“开”的状况下对其扫描。在第二个例子中，设计团队对比了第二代半双工串行解串器(串行器/解串器)系统与第三代全双工系统。结果验证了新一代功能及其优势，不但帮助客户缩短了产品上市时间，并在客户中产生了积极的影响。极近场EMI扫描技术快速磁性极近场测量仪器可以捕获和显示频谱和实时空间扫描结果的可视图像。六中压失水仪
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Fann 8工程师在设计一款产品时用了一颗9A的MOS管，量产后发现坏品率偏高，经重新计算分析后，换成了一颗5A的MOS管，问题解决。为什么用电流裕量更小的器件，却能提高可靠性呢？工程师在设计的过程中非常注意元器件性能上的裕量，却很容易忽视热耗散设计，案例分析我们放到最后说，为了帮助理解，我们先引入一个概念：其中Tc为芯片的外壳温度，PD为芯片在该环境中的耗散功率，Tj表示芯片的结点温度，目前大多数芯片的结点温度为150℃，Rjc表示芯片内部至外壳的热阻，Rcs表示外壳至散热片的热阻，Rsa表示散热片到空气的热阻，一般功率器件用Rjc进行计算即可。02P 315度高温辊道炉
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Fann 804水基泥性能修订主要解决了物理层。涉及到的PHY接口包括电气接口和网络，它们也称为媒体依赖型接口。独有PHY规范的一个关键因素是MDI信令，它既可以解决电磁（EMI）/电磁兼容性（EMC）问题，也支持在网络中使用非的单双绞线电缆。这减少了接线的重量和成本，这对于是重要的因素。减轻重量和降低成本并非联网的优势。以太网有助于形成交换网络，从而实现-共享总线拓扑结构（控制器局域网，本地互联网络，FlexRay和面向媒体的系统传输）所不具备的更高带宽和更高数据速率。测试箱
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Fann 50ml多关节固体含量龙泉3821柱塞泵美国CAT原装进口LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。
